더블 스택으로 구현 가능한 최고 단수
업계 최소 크기·두께로 비트 밀도 1.5배↑
데이터 입출력 속도 33% 향상

 

삼성전자 9세대 V낸드 제품./삼성전자 제공
삼성전자가 업계 최초로 280단대 9세대 낸드플래시를 양산한다.

23일 삼성전자는 ‘1테라비트(Tb) 용량의 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드’ 생산을 시작한다고 밝혔다. 삼성전자의 9세대 V낸드는 낸드플래시 두 장을 겹쳐 쌓는 ‘더블 스택’ 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다.

이번 제품은 셀 크기와 몰드 두께를 최소화해 비트 밀도를 이전 세대보다 약 1.5배 늘렸다. 또 동작을 수행하지 않는 더미 채널 홀을 제거하는 기술을 적용해 셀의 평면적을 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술과 셀 수명 연장 기술도 적용했다.

삼성전자는 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성을 끌어올렸다고 설명했다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 쌓은 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술로, 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산 효율이 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구된다.

실제로 낸드의 적층 경쟁이 치열해지면서 적층 공정 기술력의 중요성도 커지고 있다. V낸드의 원가 경쟁력은 최소한의 공정으로 단수를 쌓아 올리는 것이 핵심으로, 스택 수가 적을수록 거쳐야 하는 공정 수도 줄기 때문에 시간과 비용을 줄일 수 있어 경쟁력이 높다.

9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘토글(Toggle) 5.1′이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 이와 함께 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다.

삼성전자는 올해 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’를 양산하는 등 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시 개발실장(부사장)은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈(요구)가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD(대용량 저장장치) 시장을 선도해 나갈 것”이라고 말했다.